3月25日至27日，全球半導體行業盛會Semicon China 2026在上海舉行。四方儀器基于20余年深厚的氣體監測技術積淀，針對半導體制造關鍵工藝痛點，正式推出三大核心氣體監測解決方案，并與現場觀眾及同行深入探討了氣體監測在提升良率、降低成本中的應用價值。

CVD腔室清洗終點檢測

在CVD沉積后的腔室清洗工藝中，傳統定時清洗模式存在清洗不徹底或過度清洗的問題，不僅浪費昂貴的清洗氣體，還影響設備利用率和工藝良率。

采用四方儀器Gasboard-2060系列紅外氣體傳感器，實時監測SiF4、WF6、CF4、SF6、NF3、CO2等氣體的濃度變化，精準判斷清洗終點。相比傳統定時清洗，可有效減少清洗氣體用量、縮短清洗時間，提升設備利用率和工藝良率。

核心優勢：

• 零點漂移低，重復性好，確保每次清洗終點一致

• 1ppm低檢測下限，減少腔室清潔時間

• 真空密封性好，減少清潔氣體的使用

• 傳感器精度高，噪聲低，壽命長

微量氧監測

在擴散爐、退火爐、RTP、CVD等高溫工藝中，微量氧氣會導致晶圓氧化、摻雜不均，嚴重影響器件性能。在回流焊、真空共晶等封裝環節，氧含量控制同樣直接決定焊接質量。

四方儀器Gasboard-3050系列微量氧分析儀，基于氧化鋯傳感器技術，提供兩類產品選擇：

（1）Gasboard-3052（探頭式）：采用遠程原位傳感器設計，特別適用于需持續監測氧濃度的場景，如半導體設備、手套箱、氮氣管線、真空腔體及其他低氧/無氧環境。傳感器可直接通過真空接頭安裝于真空腔體，廣泛用于半導體制造、OLED生產、3D打印等使用惰性氣體的工業場景。

核心優勢：

• ppm級別測量，精度高

• 響應速度快，秒級出數

• 產品穩定性好，無需定期校準

• 緊湊型模塊化設計，體積小，安裝方便

（2）Gasboard-3053（抽取式）：采用抽取集成式設計，整合了寬量程氧化鋯傳感器、前處理單元和采樣泵，適用于除真空腔體外的多種應用場景，如SMT工藝中的回流焊爐、擴散爐、退火爐、干燥爐等。

核心優勢：

• 即插即用一體化設計

• 抗干擾能力強

• 內置采樣泵與過濾系統，安裝維護便捷

• 本地化端到端服務保障

MOCVD前驅體氣體監測

金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是制備Ⅲ-V族化合物半導體（如氮化鎵GaN）的核心工藝，前驅體（MO源）濃度的穩定性直接影響外延層質量。傳統流量控制難以消除鼓泡器溫度波動、液位變化等帶來的濃度偏差。為實現工藝優化，需對前驅體濃度進行實時監測，并通過反饋調節氣體流量、溫度、壓力等參數，形成閉環控制。

四方儀器紅外氣體傳感器（MOCVD），直接監測前驅體氣體濃度，為MOCVD工藝提供精確的濃度反饋，助力實現閉環控制。

核心優勢：

• 零點漂移低，重復性好

• 1ppm低檢測下限

• 真空密封性好

• 采用316L耐腐蝕材料，腔室組件的使用壽命更長

多年技術積淀，以可靠性能贏得行業關注

在氣體分析領域，四方儀器擁有超過20年的工業級應用經驗，我們的紅外（NDIR）、激光（TDLAS）、激光拉曼（LRD）、超聲波（Ultrasonic）等技術已在化工、冶金、油氣等苛刻工業場景中得到長期驗證，產品以高精度、快速響應、抗干擾、長壽命等優勢，贏得了眾多行業頭部客戶的長期信賴。

正是這種在高溫、高壓、強腐蝕性環境下積累出的“實戰基因”，讓我們對半導體工藝中潔凈度、穩定性的極致追求有了更深刻的理解。從傳感器到分析儀器，我們提供的不只是產品，更是經過千錘百煉的可靠監測能力，在多種工藝環境中為客戶提供從設備選型到系統集成的全方位支持。

展會期間，四方儀器的展品吸引了眾多設備工程師、工藝專家駐足交流。其中，CVD清洗終點檢測方案因其在節省氣體、提升效率方面的顯著價值，成為關注焦點；微量氧分析儀在真空腔體和回流焊爐中的應用方案吸引了封裝廠商的熱烈討論；MOCVD前驅體監測方案的國產化突破則獲得了化合物半導體領域客戶的充分肯定。

深耕行業，以精準測量助力中國“芯”發展

展會雖已落幕，但四方儀器在半導體行業的探索將持續深入。我們致力于將成熟的氣體監測技術與半導體工藝需求深度融合，為行業客戶提供更精準、更可靠的解決方案。

上述解決方案均已形成詳細的技術資料，如您對某項方案感興趣，或希望探討具體工藝點的監測需求，歡迎與我們聯系，我們將第一時間助您攻克氣體監測難題。